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无机化学知识速记：42页精华汇总想提分的宝子们，这篇无机化学知识速记一定要收藏！42页的精华内容，超实用！元素化学通论 🌍 含氧酸强度 R-O-H规则：含氧酸在水溶液中的强度取决于酸分子中质子转移的倾向。质子转移倾向越大，酸性越强。而质子转移的难易程度又取决于酸分子中R吸引羟基氧原子的能力。当R的半径较小，电负性越大，氧化数越高时，R吸引羟基氧原子的能力强，能够有效地降低氧原子上的电子密度，使O-H键变弱，容易放出质子，表现出较强的酸性。这一经验规律称为R-O-H规律。 Pauling规则：含氧酸的通式是ROn(OH)m，n为非氢键合的氧原子数（非羟基氧）。n值越大酸性越强。根据n值把含氧酸分为弱酸(n=0)，中强酸(n=1)，强酸(n=2)，极强酸(n=3)四类。因为酸分子中非羟基氧原子数越大，表示分子中R→O配键越多，R的还原性越强，多羟基中氧原子的电子吸引作用越大，使氧原子上的电子密度减小的越多，O-H键越弱，酸性也就越强。含氧酸脱水“缩合”后，酸分子内的非氢键合的氧原子数会增加，导致其酸性增强，多酸的酸性比原来的酸性强。含氧酸稳定性 🔒 同一元素的含氧酸，高氧化态的酸比低氧化态的酸稳定。如：HCIO4 > HCIO3 > HCIO2 > HCIO。氧化还原性：同一周期主族元素和过渡元素最高价含氧酸氧化性随原子序数递增而增强。如：H4SiO < H2PO4 < H2SO4 < HClO4。相应价态，同一周期的主族元素的含氧酸氧化性大于副族元素。如：BrO4 > MnO4 > SeO4。同一元素不同氧化态的含氧酸中，低氧化态的氧化性较强。如：HCIO > HCIO2。同一主族中，各元素的最高氧化态含氧酸的氧化性，大多随原子序数增加呈锯齿形升高，如：HNO3 > H2PO4 < H3AsO4，H2SO4 < H2SeO4 < H6TeO6，HCIO4 < HBrO4 > HIO4。低氧化态则自上而下有规律递减：HCIO > HBrO > HIO。浓酸的含氧酸氧化性比稀酸强，含氧酸的氧化性一般比相应盐的氧化性强，同一种含氧酸盐在酸性介质中比在碱性介质中氧化性强。影响含氧酸(盐)氧化能力的因素 🌀 中心原子结合电子的能力：若中心原子半径小，电负性大，获得电子的能力强，其含氧酸（盐）的氧化性也就强，反之，氧化性则弱。同一周期的元素，自左往右，电负性增大，半径减小，所以它们的最高氧化态含氧酸的氧化性依次递增。同一族元素，从上至下，电负性减小，原子半径增大，所以低氧化态含氧酸（盐）的氧化性依次递减。高氧化态氧化性锯齿形变化则是由于次级周期性引起的。含氧酸分子的稳定性：含氧酸的氧化态和分子的稳定性有关，一般来说，如果含氧酸分子中的中心原子R多变价，分子又不稳定，其氧化性越强。稳定的多变价元素的含氧酸氧化性很弱，甚至没有氧化性。低氧化态含氧酸氧化性强还和它的酸性弱有关，因为在弱酸分子中存在着带正电性的氢原子，对酸分子中的R原子有反极化作用，使R-O键易于断裂。无机化合物的水解性 💧 无机物的水解是一类常见且十分重要的化学性质。在实践中我们有时利用它的水解性质（如制备氢氧化铁溶胶等），有时却又必须避免它的水解性质（如配置SnCl2溶液等）。影响水解的因素：电荷和半径：从水解的本质可见：MA溶于水后是否发生水解作用，主要决定于M+和A-离子对配位水分子影响（极化作用）的大小。显然金属离子或阴离子具有高电荷和较小的离子半径时，他们对水分子有较强的极化作用，因此容易发生水解，反之低电荷和较大离子半径的离子在水中不易发生水解，如：AlCl3，SiCl4遇水都极易水解：AlCl3 + 3H20 = Al(OH)3 + 3HCl，SiCl4 + 4H20 = H4SiO4 + 4HCl；相反，NaCl，BaCl2在水中基本不发生水解。电子层结构：我们知道Ca，Sr+和Ba+等盐一般不发生水解，但是电荷相同的Zn+，Cd+Hg+等离子在水中却会水解，这种差异主要是电子层结构不同而引起的。Znt，Cdt，Hg+等离子是18e离子，他们有较高的有效核电荷，因而极化作用强，容易使配位水发生水解。而Ca²+，Sr2+和Ba2+等离子是8e离子，它们具有较低有效核电荷和较大的离子半径，极化作用较弱，不易使配位水发生分解作用，即不易水解。总之，离子的极化作用越强该离子在水中就越容易水解。此外还可以看到非稀有气体构型(18e"，9-17e~，18+2e)的金属离子，他们的盐都容易发生水解。空轨道：我们知道碳的卤化物如CF4和CCl4遇水不发生水解，但是比碳的原子半径大的硅其卤化物却易水解，如：SiX + 4H20 = H4SiO4 + 4HX，对于四氟化硅来讲：3SiF4 + 4H20 = H4SiO4 + 4H+ + 2SiF62-。这种区别是因为碳原子只能利用2s和2p轨道成键，这就使其最大共价数限制在4，并阻碍水分子中氧原子将电子对给予碳原子，所以碳的卤化物不水解。然而硅不仅有可利用的3s和3p轨道形成共价键，而且还有空的3d轨道，这样，当遇到水分子时，具有空的3d轨道的Si+接受水分子中氧原子的孤电子对，而形成配位键，同时使原有的键削弱，断裂。这就是卤化硅水解的实质，由于相同的理由，硅也容易形成包含spd杂化轨道的SiF62-配离子。NF3不易水解，PF3，却易水解也可以用同样的理由解释。硼原子虽然利用2s和2p轨道成键，但是因为成键后在2P轨道中还有空轨道存在，所以硼原子还有接受电子对形成配位键的可能，这就是硼的卤化物为什么会强烈水解的原因。希望这篇无机化学知识速记能帮到你们，加油！💪[百姓标王内容采编：秦戈]

Nuxt3+TS之旅：挑战与机遇 📣 加入新项目，我们选择了Nuxt3框架来构建一个面向用户的网站。为了优化SEO和首页加载速度，我们决定采用服务器端渲染（SSR）技术。 🛠️ 第一天，我们搭建了整个项目的框架，使用了Nuxt3和TypeScript。为了确保代码质量，我们还引入了ESLint进行代码规范管理。同时，我们封装了useFetch模块作为公共的HTTP请求工具，并引入了Pinia进行状态管理和持久化。 🌐 为了实现响应式设计，我们选择了原子CSS方案，并采用了Unocss来实现CSS预编译，使用Less作为预编译器。 🤔 然而，我们遇到了一个挑战：Pinia的持久化存储是通过LocalStorage实现的。但在服务器端渲染（SSR）过程中，由于无法访问window对象，Pinia的持久化状态会失效。这导致在页面刷新时，服务端渲染的初始值在水合（hydrate）过程中才能读到真实数据，从而造成页面上对应数据出现闪烁现象。 💡 如果你有任何解决方案或建议，欢迎分享！我们期待与您一起解决这个挑战，共同推进项目的进展。[百姓标王内容采编：王鹏]

这下好了，美国人开始怀疑人生：“我们天天封锁、天天断供，结果你居然搞出个我们没封到的物种？” 当全球半导体行业还在为硅基芯片的物理极限头疼时，中国科学家突然抛出一个颠覆性问题：如果芯片不需要硅，世界会怎样？这个问题的答案，正从北京大学化学学院的实验室里源源不断地涌现。彭海琳教授团队用一种名为硒氧化铋（Bi₂O₂Se）的新材料，造出了全球首款不含硅的二维环栅晶体管，其性能直接碾压英特尔、台积电等巨头的最先进硅基产品。这种比指甲盖还小的「无硅芯」，不仅打破了美国60年的技术垄断，更在《自然·材料》杂志上掀起了一场关于「后摩尔时代」的科技革命。一、硅基霸权的黄昏自1958年德州仪器发明第一块硅集成电路以来，全球芯片产业就被硅基材料牢牢绑定。英特尔的10nm工艺、台积电的3nm制程，甚至美国对华为的制裁，本质上都是硅基霸权的延伸。但硅的物理极限正在逼近——当晶体管尺寸缩小到3nm以下，量子隧穿效应导致的漏电问题让芯片性能大幅衰减，能耗却直线上升。彭海琳团队的突破，恰恰瞄准了这个痛点。他们发现的硒氧化铋材料，拥有原子级平整的层状结构，电子迁移率比硅高3倍，而自然氧化物栅介质（Bi₂SeO₅）能将栅极厚度压缩到0.5nm却不漏电。这就像给芯片装了一条「光滑水管」，电子流动毫无阻力，算力提升40%的同时，能耗降低60%。更令人震惊的是，这种材料在极端环境下的表现堪称「钢铁侠」。在-196℃的液氮中、1000℃的高温炉里，甚至模拟太空辐射环境中，硒氧化铋晶体管的性能几乎没有衰减。这意味着未来火星探测器、深海钻探设备，都可能用上中国造的「无硅芯」。二、制裁催生的科技跃迁美国的封锁，反而成了中国科技的「催化剂」。中芯国际的14nm工艺在2019年实现量产，长江存储的128层NAND闪存于2020年突破技术垄断，而彭海琳团队的无硅芯片，则是这场「倒逼创新」的最新战果。这种「制裁-突破」的循环，在半导体领域尤为明显。2018年美国对中兴的禁运，直接加速了长江存储的3D NAND研发；2020年华为被断供高端芯片，促使中芯国际加速14nm工艺迭代。如今，当美国试图用「实体清单」限制中国获取EUV光刻机时，中国科学家已经在材料体系上另辟蹊径。彭海琳团队的成果，正是这种「换道超车」的典型。他们从2017年开始研究硒氧化铋材料，2020年发现其自然氧化物栅介质的潜力，2023年实现全球首例外延集成型二维鳍式晶体管，最终在2025年完成环栅结构的技术突破。这一系列成果，被国际同行评价为「半导体材料的范式革命」。三、全球半导体规则的重构无硅芯片的诞生，正在改写游戏规则。传统硅基芯片的制造依赖ASML的光刻机、应用材料的刻蚀机，而硒氧化铋芯片的生产流程更简单——它可以通过化学气相沉积直接生长在晶圆上，无需复杂的光刻工艺。这意味着中国在半导体设备领域的短板，可能被材料创新绕过。更深远的影响在于产业生态。英特尔、台积电等企业的技术积累主要围绕硅基材料，而中国在二维材料、碳基芯片等领域的突破，正在构建新的技术标准。例如，彭海琳团队的二维环栅晶体管，其架构设计已被国际电工委（IEC）纳入下一代半导体标准制定的参考文档。这场革命的「蝴蝶效应」已经显现。当美国企业还在争论是否向中国出口14nm设备时，中国科学家已经在实验室里用硒氧化铋造出了等效于7nm的晶体管。正如彭海琳所说：「我们不是在追赶，而是在重新定义芯片是什么。」你认为无硅芯片将如何改写全球科技格局？欢迎在评论区留下你的看法！（信息来源：澎湃新闻《我国科学家自主研发!有望推动芯片技术革新》、中国网《换道超车!低功耗二维环栅晶体管问世》）#动态连更挑战#[百姓标王内容采编：王鹏]